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掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶片的制备工艺

摘要

本发明是一种制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶片的工艺,属于非线性光学晶体材料技术领域。由于通常条件下生长出来的同成分本征铌酸锂晶体存在耐光损伤性能低、晶体组分波动大、均匀性和一致性差等缺点,不符合集成光学的要求,特别是制备周期极化全光微结构晶体时需要外加极高的电场,这带来许多困难。为此,本发明提供了一种解决这些技术问题的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶片的工艺,其技术方案是利用掺镁铌酸锂粉料,采用切氏法制备晶体,之后切成晶片,再用汽相平衡扩散输运技术提高晶体组分的均匀性,在室温下低压极化,使晶片具有周期性的结构,该晶片可以广泛应用于倍频、差频、和频和光参量振荡等变频技术中。

著录项

  • 公开/公告号CN1190530C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN02100623.7

  • 发明设计人 陈云琳;许京军;孔勇发;张光寅;

    申请日2002-01-25

  • 分类号C30B29/30;C30B15/02;C30B31/06;C30B33/02;

  • 代理机构12200 天津市学苑有限责任专利代理事务所;

  • 代理人解松凡

  • 地址 300071 天津市卫津路94号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-26

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2005-02-23

    授权

    授权

  • 2003-02-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-11-13

    公开

    公开

  • 2002-08-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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