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薄膜形成方法、薄膜形成装置、形成有覆膜的被处理物、模具以及工具

摘要

本发明提供一种在被处理物的所期望部位形成薄膜的薄膜形成方法。在本发明的薄膜形成方法中,在减压容器内,向含有目标薄膜成分的原料气体供电,使所述原料气体等离子化,将其提供到被处理物上从而在被处理物上形成薄膜。为了在所期望的部位形成薄膜,利用了磁场产生机构所产生的磁场的作用。在磁场的作用下,使所述等离子体形成的等离子流向着所述被处理物表面的所期望部位汇聚,从而能够在所期望的部位形成薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN103814153B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 学校法人芝浦工业大学;

    申请/专利号CN201280045431.9

  • 发明设计人 相泽龙彦;森田泰史;黑住修一;

    申请日2012-09-20

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C16/27(20060101);

  • 代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人韩登营

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:32:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2014-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20120920

    实质审查的生效

  • 2014-05-21

    公开

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