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非着陆制作工艺及光学邻近效应修正光掩模图形的制作方法

摘要

一种非着陆制作方法,其对导线的电连接区作光学邻近效应修正,增加此区的面积以提升导线与介层窗/接触窗的对准裕度。此制作工艺中对导线的光掩模图形的光学邻近效应修正步骤如下:首先定出导线图形的电连接区,再进行各项同性放大或朝导线外侧延伸,而成为一放大区。接着从放大区中扣除与导线图形重叠的部分,再扣除超出该导线图形,且与邻近的其他导电层图形过于接近的部分。然后将经过删减的放大区与原导线图形合并,即得到光学邻近效应修正的导线光掩模图形。

著录项

  • 公开/公告号CN1180468C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN01102903.X

  • 发明设计人 林金隆;

    申请日2001-02-07

  • 分类号H01L21/768;H01L21/28;G03F1/14;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-12-15

    授权

    授权

  • 2002-12-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-09-11

    公开

    公开

  • 2001-06-13

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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