公开/公告号CN102881719B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201210238750.3
申请日2012-07-11
分类号H01L29/40(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁;徐雯琼
地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
入库时间 2022-08-23 09:30:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/40 登记生效日:20200428 变更前: 变更后: 申请日:20120711
专利申请权、专利权的转移
2015-11-04
授权
授权
2013-02-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/40 申请日:20120711
实质审查的生效
2013-01-16
公开
公开
机译: 具有增强的上接触结构的结型势垒肖特基二极管和用于稳健封装的方法
机译: 肖特基势垒二极管(SBD)及其下冲合并PN /肖特基二极管或结势垒肖特基(JBS)二极管
机译: 高压碳化硅结势垒肖特基结型场效应晶体管及其制造方法,具有肖特基栅结构