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氢渗透性结构体及其制造方法

摘要

氢渗透性结构体,其中包括:含多孔性陶瓷的基材(1)和在该基材(1)上形成一种含钯(Pd)和钯以外的至少1种元素,并且,在规定的温度下氢的溶解量比钯单体少的氢渗透性膜(2)。在含多孔性陶瓷的基材(1)上用物理蒸镀法形成氢渗透性膜(2)。

著录项

  • 公开/公告号CN1189237C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友电气工业株式会社;

    申请/专利号CN01804543.X

  • 申请日2001-12-04

  • 分类号B01D71/02;B01D53/22;

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人范明娥;张平元

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01D 71/02 授权公告日:20050216 终止日期:20161204 申请日:20011204

    专利权的终止

  • 2005-02-16

    授权

    授权

  • 2005-02-16

    授权

    授权

  • 2003-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-19

    公开

    公开

  • 2003-02-19

    公开

    公开

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