沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。