公开/公告号CN103094102B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201110344295.0
申请日2011-11-04
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:28:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-19
授权
授权
2014-02-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 变更前: 变更后: 登记生效日:20140109 申请日:20111104
专利申请权、专利权的转移
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20111104
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 集成电路结构形成中刻蚀多晶硅层后残留残留物的去除方法
机译: 集成电路结构形成中刻蚀多晶硅层后残留残留物的去除方法
机译: 在生产与双极晶体管的非本征基极自对准的发射极时使用的多晶硅层刻蚀工艺涉及停止在锗或硅锗中间层上或之中的等离子体刻蚀,以形成凹槽