SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，包括以下步骤：步骤一、采用深阱注入与衬底隔离以减小集电区漏电流；步骤二、制作N型和P型赝埋层和掺杂集电区，在浅槽隔离底部高剂量、低能量地注入硼离子或磷离子杂质，经过热处理后杂质的扩散，形成N和P型赝埋层；步骤三、利用P型衬底形成P型集电区，由P型赝埋层通过深接触孔引出；步骤四、硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成N型基区，由N型赝埋层通过深接触孔引出；步骤五、利用硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型SiGe基区形成发射区，并由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。本发明可有效减小集电极漏电流，大大改善了器件性能。