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适用于低噪声放大器的偏置电路

摘要

本发明公开了一种适用于低噪声放大器的偏置电路,该偏置电路与低噪声放大器中的共源NMOS管和共栅NMOS管上的栅极外接的两个管脚相连接,其特征在于,所述偏置电路包括:第一至第十二MOS管(401~406、410~415),第一至第八电阻(416~423)和第一至第三二极管(407~409)连接组合而成。本发明具有使能控制功能,能够提供两种模式的输出偏置:第一种,在低噪声放大器的工作模式中提供偏置,实现温度补偿和超宽范围的电压补偿,即保证低噪声放大器的噪声系数、增益不随温度和电源电压波动。第二种,在低噪声放大器的空闲模式提供另一种偏置,实现可靠性补偿,防止晶体管击穿。本发明还能够大大降低了电路的复杂度,减小芯片面积和成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103036509B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 锐迪科创微电子(北京)有限公司;

    申请/专利号CN201210548224.7

  • 申请日2012-12-17

  • 分类号H03F1/26(20060101);H03F1/30(20060101);

  • 代理机构11111 北京万慧达知识产权代理有限公司;

  • 代理人于淼;杨颖

  • 地址 100086 北京市海淀区知春路113号银网中心A座1105-1108

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-12

    专利权的转移 IPC(主分类):H03F 1/26 登记生效日:20190325 变更前: 变更后: 申请日:20121217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-11-20

    专利权的转移 IPC(主分类):H03F 1/26 登记生效日:20181031 变更前: 变更后: 申请日:20121217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-11-20

    专利权的转移 IPC(主分类):H03F 1/26 登记生效日:20181031 变更前: 变更后: 申请日:20121217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/26 申请日:20121217

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/26 申请日:20121217

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/26 申请日:20121217

    实质审查的生效

  • 2013-04-10

    公开

    公开

  • 2013-04-10

    公开

    公开

  • 2013-04-10

    公开

    公开

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