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公开/公告号CN103178211B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-10
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉大学;
申请/专利号CN201310107834.8
发明设计人 秦平力;方国家;程飞;雷红伟;柯维俊;
申请日2013-03-28
分类号H01L51/44(20060101);H01L51/46(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人汪俊锋
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2022-08-23 09:26:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-10
授权
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/44 申请日:20130328
实质审查的生效
2013-06-26
公开
机译: MoS2 / MoS2 /碳纳米复合材料的制备方法
机译: 从含MoS2的原料中提取三氧化钼(MoO3)的方法
机译: 通过电化学沉积制备具有双层结构的MoO3-Pt薄膜的方法以及通过该方法制备的MoO3-Pt薄膜
机译:用MoS2原位生长MoO3 / MoS2双层薄膜以用于有机太阳能电池中的空穴传输层
机译:易于合成的低温MoO3薄膜,可用于有机光电器件中的有效阳极界面层
机译:超薄薄膜对有机太阳能电池中透明阳极的MoO3 sub>表面钝化
机译:通过使用MOO3 / CUI阳极缓冲层,通过使用MOO3 / CUI阳极缓冲层改善萜烯-吡喃 - 丙二腈(T3PM)作为电子供体的有机太阳能电池效率。
机译:基于基底界面层的聚合物/富勒烯有机太阳能电池的热稳定性分析
机译:作为倒置有机太阳能电池中的阳极界面层作为阳极界面层的磺酸盐缀合的聚电解质
机译:moO3,CuI或moO3 / CuI - 基于升华沉积的低聚噻吩薄膜的有机太阳能电池性能
机译:还原氧化石墨烯对溅射moO3和mo前驱体膜(后印刷)硫化生长的mos2的影响。