电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法

摘要

一种用于电子束曝光的掩模，用在由EB投影光刻系统中。该掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被栅框区域围绕并具有比栅框区域薄的厚度；多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内。每个掩模图形区域具有对应于子域图形的掩模图形。通过对每个所述掩模图形区域将电子束照射到所述掩模上，使被电子束照射的区域的中心与各所述掩模图形区域的中心重合，按预定的芯片图形曝光晶片。