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基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法

摘要

本发明公开了一种基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充方法,包括:线网电学特性计算;物理版图区域划分;根据所述物理版图区域划分的结果进行区域内图形几何同构和根据所述线网电学特性计算的结果进行区域内电学同构;将同构的区域进行优化填充;将上述区域填充的数据进行复用,以进一步对同构的区域进行填充。本发明提供的方法可解决现有哑金属填充方法中采用串行计算导致的填充速度慢的问题和采用串行计算导致的匹配物理版图冗余金属填充几何失配和电学失配的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN102508969B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201110352024.X

  • 发明设计人 吴玉平;陈岚;叶甜春;

    申请日2011-11-09

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人刘丽君

  • 地址 100029 北京市朝阳区土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-13

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20111109

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

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