首页> 中国专利> 测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置

测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置

摘要

将用于存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平。响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置。响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平。响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平。响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据,将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。

著录项

  • 公开/公告号CN102027549B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN200980116836.5

  • 申请日2009-05-15

  • 分类号G11C29/10(20060101);G11C29/50(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C29/10 授权公告日:20140806 终止日期:20190515 申请日:20090515

    专利权的终止

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2011-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/10 申请日:20090515

    实质审查的生效

  • 2011-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/10 申请日:20090515

    实质审查的生效

  • 2011-04-20

    公开

    公开

  • 2011-04-20

    公开

    公开

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