首页> 中国专利> 一种磁控溅射镀膜装置、纳米多层膜及其制备方法

一种磁控溅射镀膜装置、纳米多层膜及其制备方法

摘要

一种磁控溅射镀膜装置,其特征在于,至少包括真空镀膜室、溅射靶、真空镀膜室底座上的转架台和转架台上的工件架,以及驱动转架台绕转架台的中心轴转动的第一转动系统;所述溅射靶设置在转架台周围并与转架台垂直,所述溅射靶包括两个第一溅射靶及一个第二溅射靶,所述溅射靶位于与转架台同心的圆周上,两个所述第一溅射靶之间的圆弧为180-240度,所述第二溅射靶等分两个第一溅射靶之间的圆弧;所述转架台上固定设置有穿过转架台表面的隔板,在垂直于转架台方向上,所述隔板的两端均超出所述溅射靶的两端。该装置结构简单,对工艺的控制简单,解决了纳米多层膜的制备,适宜于工业化。

著录项

  • 公开/公告号CN102677009B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中奥汇成科技有限公司;

    申请/专利号CN201210151152.2

  • 申请日2012-05-15

  • 分类号C23C14/35(20060101);

  • 代理机构11252 北京维澳专利代理有限公司;

  • 代理人马佑平

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区西环南路18号B座431室

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    著录事项变更

  • 2015-06-24

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-06-24

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-06-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-06-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2014-05-28

    授权

    授权

  • 2014-05-28

    授权

    授权

  • 2014-03-12

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    著录事项变更

  • 2014-03-12

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 14/35 变更前: 变更后: 申请日:20120515

    著录事项变更

  • 2012-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20120515

    实质审查的生效

  • 2012-11-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20120515

    实质审查的生效

  • 2012-09-19

    公开

    公开

  • 2012-09-19

    公开

    公开

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