公开/公告号CN1124594C
专利类型发明授权
公开/公告日2003-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电器产业株式会社;
申请/专利号CN98125636.8
申请日1998-09-29
分类号G11B5/39;
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人甘玲
地址 日本大阪
入库时间 2022-08-23 08:56:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20031015 终止日期:20150929 申请日:19980929
专利权的终止
2003-10-15
授权
授权
1999-11-17
公开
公开
1999-10-20
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 磁阻效应器件包括在基板上依次层叠的氮化物底层,反铁磁层,第一铁磁层,非磁性层和第二铁磁层,包括该磁阻效应器件的磁头以及包括该磁阻效应器件的信息存储装置同一磁头
机译: 制造交换耦合膜的方法,利用交换耦合膜制造磁阻效应器件的方法,以及利用磁阻效应器件制造薄膜磁头的方法
机译: 交换耦合膜磁阻效应器件的磁阻效应头及其制造方法