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磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法

摘要

本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下,以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。

著录项

  • 公开/公告号CN1124594C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN98125636.8

  • 申请日1998-09-29

  • 分类号G11B5/39;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人甘玲

  • 地址 日本大阪

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20031015 终止日期:20150929 申请日:19980929

    专利权的终止

  • 2003-10-15

    授权

    授权

  • 1999-11-17

    公开

    公开

  • 1999-10-20

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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