一种平面型双向触发二极管芯片制造方法

摘要

一种平面型双向触发二极管芯片制造方法。涉及平面型双向触发二极管的制造方法。提供了一种确保漏电小、回弹电压高、品质稳定的同时，进一步减少工艺步骤，提高合格率的平面型双向触发二极管芯片制造方法。以厚度100-300μm的P型晶片为原料，在晶片表面生长氧化层、光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序，在所述光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序之间包括如下工序：1）扩散窗口下沉；2）磷扩散；3）去除表面反型层；4）高温驱进杂质并生长二氧化硅钝化膜层；5）光刻金属电极窗口；6）镀镍金；本发明的工艺可以采用较厚的硅片，进而可以减少碎片率，同时平面钝化结构保证了切割在划片道内，保证了电压的稳定及优良的高温特性。