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一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法

摘要

一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,属于纳米材料的制备技术领域。其特征在于:将摩尔比为1:0.01~1:0.1的硝酸锌和硝酸镓溶于去离子水中,PH值控制在9~11范围内,接着将混合液进行30min超声处理得到反应前驱液。将FTO导电玻璃基底经丙酮,无水乙醇,异丙醇和去离子水超声清洗干净后,进行干燥处理。然后将处理好的玻璃基片置于之前配制好的反应前驱液中,密封后保温处理,最后取出玻璃片用去离子水冲洗干燥得附有掺杂ZnO纳米材料的玻璃片。本发明合成方法反应温度低,设备简单,成本低,同时所制得的产物表面蓬松多孔,孔隙率大,电导率高,适合于在染料敏化太阳能电池等器件上的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102509648B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201110324879.1

  • 发明设计人 顾有松;邱英;秦子;张跃;

    申请日2011-10-24

  • 分类号

  • 代理机构北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘淑芬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 9/20 授权公告日:20131127 终止日期:20171024 申请日:20111024

    专利权的终止

  • 2013-11-27

    授权

    授权

  • 2013-11-27

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20111024

    实质审查的生效

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20111024

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

    公开

  • 2012-06-20

    公开

    公开

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