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GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两个双结电池通过晶格异变生长渐变过渡层串联，所述渐变过渡层包括Al

1. GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN103346191B . 2017.01.25
2. GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN103346191A . 2013-10-09
3. Photodiode having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction [P] . 美国专利： US4390889A . 1983-06-28

机译：具有InGaAs层和相邻InGaAsP p-n结的光电二极管
4. GaAs layer and InxGa (1-x) the chemical procedure which etches four boundary layer on InGaAsP which was formed between P layer mainly [P] . 日本专利： JP2005517286A . 2005-06-09

机译： GaAs层和InxGa（1-x）主要是在形成于P层之间的InGaAsP上蚀刻四个边界层的化学过程
5. A chemistry for etching quaternary interface layers on InGaAsP mostrly formed between GaAs and InxGa(1-x)P layers [P] . 韩国专利： KR20040069192A . 2004-08-04

机译：一种最常在GaAs和InxGa（1-x）P层之间形成的InGaAsP上腐蚀四元界面层的化学物质