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低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法,包括以下步骤:首先清洗基底,运用溅射工艺在玻璃基底表面溅射一定厚度的锌膜;将分析纯氨水溶液无需稀释,或与水体积比为1∶10范围内,得到氨水浓度为2.5-2.8%,放置于密闭容器中作为熏蒸源;将溅射有锌膜的基底,有锌膜一面朝下固定于氨水溶液上方,不接触液面,容器封口,置于烘箱中加热,温度50-90℃,反应时间控制在6-12小时之间;最后,通过高温下氨水蒸发产生的氨气与基底表面的锌薄膜反应得到较均匀的ZnO纳米线阵列结构。本发明优点在于步骤简单,反应温度低,成本大幅度降低,得到的阵列均匀,适合大规模的生产。

著录项

  • 公开/公告号CN102557110B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201110400627.2

  • 申请日2011-12-06

  • 分类号

  • 代理机构上海汉声知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭国中

  • 地址 200240 上海市闵行区上海市东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-25

    授权

    授权

  • 2012-09-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 9/02 申请日:20111206

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

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