自对准T栅极碳纳米管场效应晶体管器件和用于形成该器件的方法

摘要

提供了用于形成自对准碳纳米管(CNT)场效应晶体管(FET)的方法。根据一个特征，形成自对准源极-栅极-漏极(S-G-D)结构使得栅极长度允许被缩短到任意小的值，因此使超高性能的CNT FET成为可能。根据另一特征，栅极的改进设计拥有T形(也被称为T栅极)，因此使得能够减小栅极电阻并且还提供增加的功率增益。使用简单的制造步骤来形成所述自对准T栅极的CNT FET以确保低成本、高产量的工艺。