提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法

摘要

提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，解决了p-i-n光伏层中P层和I层之间由于硼污染造成的电流、电压损失、从而降低P型层和I型层界面性能的技术问题，采用的技术方案是，以上方法是在制备非晶硅太阳能电池光伏吸收层的工艺中实现的，所说的工艺包括在透明导电基板上依次制备P型薄膜层、I型窗口层、N型薄膜层，其关键在于，增加了制备P型薄膜层与I型窗口层之间的双层缓冲膜的工序。本发明在通过在P型层和I型窗口层之间增设双层缓冲膜，阻挡了P型层掺杂的三价硼元素对本征型I层的污染，解决了P型层和I型窗口层之间电量流失严重的问题，从而提高了非晶硅太阳电池转化效率，降低光致衰退效应，节约能源。