优化硅片面型垂向控制的测量系统、方法和光刻设备

摘要

本发明提供了一种优化硅片面型垂向控制的测量系统、方法和光刻设备，应用于半导体领域。在本发明实施例中，调焦调平传感器提供精测光斑和至少一组外延光斑，以通过增加的外延光斑对工件台上的硅片面型进行测量，以使工件台根据外延光斑的测量结果进行垂向控制，保证精测光斑在测量时，所述硅片的上表面处于调焦调平传感器的精测范围之内，从而完成硅片面型的捕获检测。本发明的方案可适用于所有的调焦调平传感器的测量方案，提高了调焦调平传感器测量的鲁棒性，以及本发明中的外延光斑可以对当前的粗测光斑技术进行有效的复用和替代，提高了现有技术的复用率，并且去除了量产流程中的全局调平方式，提高了产率。