一种CMOS图像传感器位移损伤和电离损伤协和效应实验方法

摘要

本发明涉及一种CMOS图像传感器位移损伤和电离损伤协和效应实验方法；解决现有技术中没有能同时提供模拟空间位移损伤效应和电离损伤效应的辐射装置和辐射场环境的技术问题；通过先开展CMOS图像传感器中子位移辐照效应实验、退火测试和规律分析后，再继续开展60Coγ射线电离辐照效应实验，分析中子和60Coγ射线先后辐照后，辐射敏感参数的退化规律，以及先开展CMOS图像传感器60Coγ射射线电离辐照效应实验、退火测试和规律分析后，再继续开展中子位移辐照效应实验，分析60Coγ射线和中子先后辐照后，辐射敏感参数的退化规律；获得中子和60Coγ射线在不同次序辐照下位移损伤与电离损伤的协和效应实验规律。