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机译:中子和质子辐射对深亚微米技术制造的CMOS图像传感器产生的位移损伤效应
ISAE, Université, de Toulouse, Toulouse, France;
Active pixel sensor (APS); CMOS image sensor (CIS); displacement damage; hot pixels; ionization; monolithic active pixel sensor (MAPS); non-ionizing energy loss (NIEL);
机译:核反应堆中子辐照对CMOS APS图像传感器的位移损伤效应
机译:中子辐照后CMOS图像传感器的位移损坏
机译:γ辐射导致深亚微米技术中的Cmos图像传感器性能下降
机译:γ辐照导致深亚微米技术中CMOS图像传感器的光谱响应和暗电流下降
机译:深度亚微米CMOS技术中的单事件闩锁。
机译:用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
机译:由于中子和质子辐照对以深亚微米技术制造的CMOS图像传感器产生的位移破坏效应