公开/公告号CN115259659A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-01
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市正离子科技有限公司;
申请/专利号CN202210958721.8
发明设计人 冯彩云;
申请日2022-08-09
分类号C03C3/087;C03B19/06;A44C27/00;A44C25/00;
代理机构北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刁金柱
地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街道宝兴路21号万骏经贸大厦1314
入库时间 2023-06-19 17:22:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-01
公开
发明专利申请公布
机译: 包含特定成分的CMP(化学机械抛光)成分的化学锗元素制造工艺,该工艺包括元素锗和/或Si 1-x sub> Ge x sub>材料的化学机械抛光有机化合物
机译: 从含铁的原始材料中制成含金属的碳化物元素的工艺,以及含矿物的含碳化物的元素的混合物,用于合金钢的混合物以及用于合金的含矿物的碳化物元素的合金的制备方法
机译: 含锗衍生物的薄膜沉积组合物,使用相同的薄膜制备的含锗薄膜和使用相同的薄膜制备含锗薄膜的方法