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用于薄膜晶体管的四羧酸二酰亚胺半导体

摘要

薄膜晶体管包含一层有机半导体材料,该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物,该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法,优选用升华沉积到衬底上的方法,其中衬底温度不超过200℃。

著录项

  • 公开/公告号CN101849300B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊斯曼柯达公司;

    申请/专利号CN200880022782.1

  • 发明设计人 D·舒克拉;T·R·韦尔特;W·G·埃亨;

    申请日2008-06-25

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人赵苏林

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/00 授权公告日:20130403 终止日期:20180625 申请日:20080625

    专利权的终止

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    授权

    授权

  • 2010-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/00 申请日:20080625

    实质审查的生效

  • 2010-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/00 申请日:20080625

    实质审查的生效

  • 2010-09-29

    公开

    公开

  • 2010-09-29

    公开

    公开

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