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基于摩擦磨损机理的单晶SiC化学机械抛光液

摘要

本发明涉及基于摩擦磨损机理的单晶SiC化学机械抛光液技术领域,尤其涉及一种包含第二相二氧化硅研磨颗粒的制备方法,包括如下步骤:步骤S1:用PH为12的碱溶液处理质量浓度为m1粒径d1为碳化硅颗粒,并充分搅拌后离心;步骤S2:使用质量浓度为m2聚(氧乙烯)壬基苯基醚对离心后的碳化硅颗粒进行改性,室温下充分搅拌使其混合均匀;步骤S3:使用质量浓度m3的聚碳硅烷处理,按照一定的升温速率,并在恒定温度T1搅拌速度r1连续搅拌t1小时;步骤S4:将上述处理后的二氧化硅研磨颗粒分散在纯水中,加入质量浓度为m4的有机溶剂并调节PH值;本发明的基于摩擦磨损机理的单晶SiC化学机械抛光液,使得制成的抛光液的摩擦磨损性能得到提高。

著录项

  • 公开/公告号CN115109522A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市永霖科技有限公司;

    申请/专利号CN202210702270.1

  • 申请日2022-06-20

  • 分类号C09G1/02;

  • 代理机构北京棘龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘传勇

  • 地址 518038 广东省深圳市龙华区观湖街道樟溪社区下围工业区一路10号智谷B栋222

  • 入库时间 2023-06-19 16:59:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-27

    公开

    发明专利申请公布

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