SiO<,2>单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究

摘要

对SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>在干摩擦条件下的摩擦学特性进行了考察，并用JSM-5600LV扫描电子显微镜对SiO<,2>单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究。研究结果表明：在低负荷、干摩擦条件下，SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>摩擦时，SiO<,2>单晶的磨损由轻微到严惩磨损分为3个阶段，其磨损机理为塑性剪切→塑性剪切+磨粒磨损→脆性断裂。