三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片

摘要

本申请提供一种三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片。该存储芯片包括堆叠互连的至少两个晶粒，该测试方法包括：控制至少两个晶粒中之一获取期望数据；通过至少两个晶粒中之另一的读写数据线得到测试数据，比对测试数据和期望数据以产生相应的比对结果，从而基于比对结果确定至少两个晶粒之间的连通性；其中，堆叠互连的至少两个晶粒的读写数据线通过至少两个晶粒间的堆叠互连结构彼此连接。该测试方法能够定位三维堆叠产品因互连工艺引起失效，以及提供精准的有互连问题的互连线路信息，继而间接或直接解决三维堆叠存储芯片因互连工艺问题引起的产品良率较低的问题。