对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持

摘要

本公开描述了用于对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持的技术。在一个方面，在相邻的稍后编程的字线WLn+1的存储器单元的编程之后，字线WLn的存储器单元被重新编程。该重新编程可限于邻近WL+1的较低状态存储器单元的WLn的较低状态存储器单元。在该重新编程中使用的编程脉冲量值可针对该WLn存储器单元和该相邻的WLn+1存储器单元的数据状态进行定制。在一些情况下，可将该编程脉冲量值分组以减小具体实施的复杂性和时间。在初始编程操作已经完成之后，在控制电路的空闲时间期间，该重新编程可进行。