一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件

摘要

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体，所述多量子阱为量子阱层和量子垒层组成的周期结构，量子垒层为具有电子散射与空穴加速量子垒层，形成与本征极化场方向相反的第二极化场；电子散射与空穴加速量子垒层形成第二极化场增强电子散射，降低电子的动能和漂移速度，使电子减速，提升量子阱对电子的捕获和限制效率，降低电子泄漏，并将空穴势垒拆分为2个以上的较低势垒，势垒高度低约10meV以上，极化场加速空穴往多量子阱跃迁，提升空穴注入效率，从而提升多量子阱的电子空穴辐射复合效率，进而提升发光效率。