退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN114496744A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-13
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉大学;
申请/专利号CN202210087749.9
发明设计人 刘胜;王诗兆;郭宇铮;沈威;吴改;孙亚萌;汪启军;东芳;
申请日2022-01-25
分类号H01L21/04;H01L21/683;G06F30/20;
代理机构
代理人
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2023-06-19 15:16:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/04 专利申请号:2022100877499 申请日:20220125
实质审查的生效
机译:金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理
机译:金刚石(111)面上乙炔生长金刚石薄膜的机理
机译:硅掺杂对圆柱形硬质合金基体表面金刚石薄膜生长的影响
机译:三氟化氯气体净化碳化硅薄膜形成设备的方法的发展:精制热解碳涂层的三氟化氯气体耐腐蚀性
机译:粒子流特性对脉冲激光烧蚀淀积类金刚石薄膜的影响