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一种晶片刻蚀装置

摘要

本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置,包括第一喷嘴,第一喷嘴包括:第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部;第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧;第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁,以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽;第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接,第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接,使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动;第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口,第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。

著录项

  • 公开/公告号CN114400192A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN202111627793.6

  • 发明设计人 张丝柳;顾立勋;宋冬门;

    申请日2019-08-27

  • 分类号H01L21/67;

  • 代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵翠萍;浦彩华

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

  • 入库时间 2023-06-19 15:03:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-26

    公开

    发明专利申请公布

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