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一种AT切石英晶片的有机刻蚀液及刻蚀方法

摘要

本发明公开一种AT切石英晶片的有机刻蚀液及刻蚀方法。该AT切石英晶片的有机刻蚀液,按重量百分比计,由如下组分组成:无水氟化氢30%~50%、第一有机溶剂30%~42%和第二有机溶剂20%~28%;所述第一有机溶剂选自多元醇、吡啶、二甲基亚砜、羧酸中的一种;所述第二有机溶剂选自二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N,N‑二异丙基乙胺、N,N‑二甲基丙烯基脲中的一种。本发明的有机刻蚀液是通过先将无水氟化氢加入第二有机溶剂生成络合物,然后再将络合物溶入第一有机溶剂中制备而成;本发明的刻蚀方法,可通过在较高溶液温度下进行刻蚀加工,提高了刻蚀速率,同时减少了因刻蚀不均匀造成的表面褶皱、条纹等缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN113061438B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 泰晶科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202110308451.1

  • 发明设计人 万杨;栾兴贺;张晓伟;黄大勇;

    申请日2021-03-23

  • 分类号C09K13/08;H01L21/67;

  • 代理机构武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈建军

  • 地址 441320 湖北省随州市曾都经济开发区交通大道1131号

  • 入库时间 2022-08-23 13:39:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    授权

    发明专利权授予

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