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一种基于8T SRAM内存内行列双向的减法计算电路结构

摘要

本发明公开了一种基于8T SRAM内存内行列双向的减法计算电路结构,包括:整体时序控制模块、行地址译码模块、列地址译码模块、行字线选择模块、列字线选择模块、SRAM存储阵列、行输出模块和列输出模块;行地址译码模块与行字线选择模块相连,列地址译码模块与列字线选择模块相连,行字线选择模块、列字线选择模块、行输出模块和列输出模块分别与SRAM存储阵列相连;通过调整8管SRAM单元的字线传输管的宽长比控制单元权重,实现减法计算。本发明可以实现8T SRAM内存内的行减法和列减法计算,减少了传输过程的消耗,使功耗大幅降低,而且能够在减法计算时使所有SRAM单元的字线同时开启并行计算,大大提高了计算时数据的吞吐率。

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    法律状态

  • 2022-04-15

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