套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形

摘要

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形，其中，套刻精度量测图形的制作方法包括：提供晶圆；提供第一光刻胶层，第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形；以第一光刻胶层为掩膜图形化晶圆，以将初始条状图形转移到晶圆上，形成第一目标图形；提供第二光刻胶层，第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且第一标记图形沿第一方向延伸，第二标记图形沿第二方向延伸；在形成第一目标图形之后，以第二光刻胶层为掩膜图形化第一目标图形，形成第二目标图形，可以提高套刻精度量测图形的图形精度。