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一种液相生长氮化铝的生长结构及生长方法

摘要

本发明提供了一种液相生长氮化铝的生长结构及生长方法,包括底部带有氮化铝籽晶的石墨棒、碳化钽多孔过滤网以及碳化钽坩埚和碳化钛坩埚构成的复合嵌套坩埚;其中,所述复合嵌套坩埚放置在石墨发热坩埚中;所述碳化钽坩埚嵌套在所述碳化钛坩埚内,二者嵌套空隙中填入氮化铝料源;所述碳化钽多孔过滤网包括盖板和焊接下沉过滤网,二者之间通过多条碳化钽支撑柱连接,所述盖板上设置有供所述石墨棒通过的圆孔。本发明通过在坩埚夹层中加热氮化铝粉末并通过籽晶轴中心通入高温裂解氮,使得籽晶在近液面进行生长;生长过程中变换高温位置和生长气氛生长高质量氮化铝单晶;从而解决了高温下高速生长带来的多型、杂晶、液相包裹物等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114164493A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京世纪金光半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111493851.0

  • 发明设计人 杨丽雯;程章勇;张云伟;何丽娟;

    申请日2021-12-08

  • 分类号C30B29/40(20060101);C30B19/06(20060101);

  • 代理机构11717 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张宇锋

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号

  • 入库时间 2023-06-19 14:29:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    公开

    发明专利申请公布

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