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一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法

摘要

本发明提供了一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法,包括碳化钽坩埚、通气管、石墨棒以及碳化钽墨盖;碳化钽坩埚上宽下窄的圆台结构,圆台结构底面放置有Al面朝上的氮化铝籽晶,通过特殊粘接工艺粘接在了该圆台上;石墨棒的底部粘结有氮化铝籽晶;碳化钽盖加盖在碳化钽坩埚的顶部,通气管穿过碳化钽盖伸入碳化钽坩埚内,石墨棒固定在炉腔的上提拉结构上并伸入碳化钽坩埚内。本发明中使用顶部籽晶加底部籽晶双籽晶的方法,本发明3段独立加热器,将高温位置放在坩埚中段,使得料源分别在顶部和底部籽晶上开始结晶。

著录项

  • 公开/公告号CN114150374A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京世纪金光半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111495981.8

  • 发明设计人 杨丽雯;程章勇;张云伟;何丽娟;

    申请日2021-12-08

  • 分类号C30B19/06(20060101);C30B19/10(20060101);C30B29/40(20060101);

  • 代理机构11717 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张宇锋

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号

  • 入库时间 2023-06-19 14:26:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    公开

    发明专利申请公布

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