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武红磊; 郑瑞生; 孙秀明; 罗飞; 杨帆; 刘文; 敬守勇;
深圳大学光电子学研究所;
氮化铝; 物理气相传输; 单晶;
机译:回旋辐射支持下的有机金属气相外延和氮等离子体活化高速率生长的单晶InN薄膜
机译:化学气相沉积法高氮掺杂单晶石墨烯阵列的低温生长
机译:同质外延化学气相沉积单晶金刚石的高速生长和氮分布
机译:金属有机气相外延生长的GaAs,GaInP的表面形态,用于以氮为载气的异质结双极晶体管应用
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长结晶氧化铝和氮氧化钛薄膜。
机译:生长宽带隙半导体氮化铝晶体的环保方法:基本源气相外延
机译:单晶石墨烯晶片:外延生长6英寸。通过化学气相沉积在750℃下在Cu / Ni(111)膜上的单晶石墨烯(小22/2019)
机译:镧系元素/ act系氯化物:氯化铝气相络合物研究的新方法
机译:制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译:制备碳化硅体积单晶,包括在生长坩埚的晶体生长区域中制备碳化硅生长气相,以及通过从碳化硅生长气相沉积而生长单晶。
机译:用于生长单晶的高温化学气相沉积装置的坩埚和用于生长单晶的高温化学气相沉积装置的坩埚
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