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一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置

摘要

本发明提供一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置,包括匀强磁场发生装置和磁场屏蔽装置;所述匀强磁场发生装置用于生成匀强磁场;包括双向对称、共轭放置的4块永磁体;所述磁场屏蔽装置设置在所述匀强磁场发生装置外部,用于向外屏蔽所述匀强磁场。本发明的强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置能够实现两组小型化正负电子磁谱仪探头所需的匀强磁场,满足小型化的需求。

著录项

  • 公开/公告号CN114156040A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN202111307837.7

  • 发明设计人 叶雨光;邹鸿;宗秋刚;

    申请日2021-11-05

  • 分类号H01F7/02(20060101);G01T1/36(20060101);

  • 代理机构11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人高园园

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2023-06-19 14:26:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    公开

    发明专利申请公布

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