公开/公告号CN114141667A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202111437347.9
发明设计人 韩俊伟;
申请日2021-11-29
分类号H01L21/67(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周耀君
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 14:23:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 用于均匀加热掩模的曝光设备和一种晶圆曝光方法,该方法使用有效补偿由于覆盖误差而引起的曝光缺陷的能力
机译: 晶圆缺陷分析装置及其控制方法,能够有效地改善晶圆制造工艺,从而提高生产率并降低成本
机译: 根据在线缺陷监控器数据计算晶圆探针成品率极限的方法