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公开/公告号CN114142345A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202111438704.3
发明设计人 梁锋;赵德刚;陈平;刘宗顺;杨静;
申请日2021-11-29
分类号H01S5/343(20060101);H01S5/20(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王文思
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 14:23:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 氮化镓基半导体激光器件以及制造氮化镓基半导体激光器件的方法
机译: 氮化镓基半导体激光器的制造方法以及使用选择生长法的氮化镓半导体激光器
机译: 氮化镓基半导体激光器件以及制造氮化镓基半导体激光元件的方法
机译:立方氮化镓-用于HEMT的碳化物衬底-氮化镓激光器的硅
机译:氮化镓铟基绿色激光器
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:MBE对氮化镓基激光器的潜力
机译:氮化镓/氮化镓铟镓基发光二极管的温度相关特性。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:立方氮化镓–用于HEMT的碳化物衬底–氮化镓激光器的硅
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(UV)的倍频蓝绿激光器