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一种硅片清洗过程异常的排查方法

摘要

本发明提供了一种硅片清洗过程异常的排查方法,所述排查方法包括:(Ⅰ)在不同的工艺槽内对硅片进行完整的制绒清洗工序后进行少子寿命检测,检测到的少子寿命低于标准值,表明制绒清洗工序中的至少一个工艺槽出现异常,对工艺槽逐一排查;(Ⅱ)采用与步骤(Ⅰ)中制绒清洗工序相同的操作过程和工艺参数,仅省去其中一个工艺槽,完成制绒清洗后,检测硅片表面的少子寿命;(Ⅲ)如果少子寿命恢复至标准值,表明省去的工艺槽出现异常;如果少子寿命仍低于标准值,对下一个工艺槽重复进行步骤(Ⅱ),直至排查出异常的工艺槽。通过少子寿命异常判断制绒清洗工序中各个工艺槽是否存在污染并锁定异常的工艺槽。

著录项

  • 公开/公告号CN114121699A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111319490.8

  • 发明设计人 钟观发;吴坚;蒋方丹;

    申请日2021-11-09

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L21/02(20060101);H01L31/0236(20060101);H01L31/072(20120101);B08B3/08(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人王艳斋

  • 地址 314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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