半导体制造中基于多区加热器模型的控制

摘要

腔室内的基板支撑组件中的多个加热区是独立控制的。将来自多个温度检测器的温度反馈设置成第一输入来提供给工艺控制算法，所述工艺控制算法可以是闭环算法。工艺控制算法的第二输入是使用模型所计算的一个或多个加热区的加热器温度的目标值。计算为一个或多个加热区实现加热器温度的目标值所需的加热器功率的目标值。控制腔室硬件以匹配加热器温度的目标值，所述加热器温度的目标值与对应于一个或多个工艺参数的当前最佳值的晶片特性相关。