光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法

摘要

本发明说明了一种光电子半导体芯片(20)，具有：第一区域(21)，其掺杂有第一掺杂物；第二区域(22)，其掺杂有第二掺杂物；第一区域(21)和第二区域(22)之间的激活区域(23)；第一接触层(24)，其具有导电材料并且覆盖第一区域(21)；绝缘层(25)，其覆盖第一接触层(24)并且具有第一开口(26)；以及第二接触层(27)，其具有导电材料并且其覆盖绝缘层(25)和第一开口(26)，其中，第一开口(26)完全贯穿绝缘层(25)，并且第二接触层(27)具有第二开口(28)和/或分别在第一开口(26)中在第二接触层(27)和绝缘层(25)之间布置具有导电材料的第三接触层(29)。本发明还说明了一种用于制造光电子半导体芯片(20)的方法。