利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法

摘要

本发明公开一种利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法，属于尾气处理方法和装置技术领域。该装置包括真空泵、真空泵前级处理系统和真空泵后级处理系统；其中：所述真空泵前级处理系统包括依次连接的金属滤芯处理器、超细薄膜滤芯处理器、安全阀5和油膜吸附处理器，所述金属滤芯处理器与沉积炉(CVD或CVI)相连接；所述真空泵后级处理系统包括相连接的颗粒吸附处理器和排风机；所述真空泵分别连接所述油膜吸附处理器、颗粒吸附处理器以及沉积炉(CVD炉或CVI炉)。本发明方法和装置可实现CVI设备连续长时间运转，高效率、低成本、操作简单、使用维护方便。