公开/公告号CN114051542A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN202080048772.6
申请日2020-04-24
分类号C25D7/12(20060101);C25D3/38(20060101);C25D21/12(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠;张华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:11:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-15
公开
国际专利申请公布
机译: 半导体器件制造中金属电沉积期间种子层的保护
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。