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公开/公告号CN114019341A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 株洲中车时代半导体有限公司;
申请/专利号CN202111301375.8
发明设计人 袁涛;余伟;史慧敏;孙波艳;郑宇;熊强;谭旻;凌浪波;刘敏安;任亚东;罗海辉;
申请日2021-11-04
分类号G01R31/26(20140101);G01R1/36(20060101);
代理机构11403 北京风雅颂专利代理有限公司;
代理人曾志鹏
地址 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
入库时间 2023-06-19 14:08:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-08
公开
发明专利申请公布
机译: 逆变器电路对于放电灯,先开启第二/第三IGBT,然后再开启第一/第四IGBT,然后再关闭第一/第四IGBT,然后再阻止第二/第三IGBT
机译: IGBT短路保护电路和方法,IGBT驱动器和IGBT电路
机译: 具有多个IGBT的整流IGBT电路包括反向馈电二极管,用于在IGBT导通时将开关电容器的放电能量分配到存储电容器
机译:高速IGBT特性的改进和应用:介绍配备逆变器的设备中IGBT的基本电路和应用电路,包括IGBT自身特性的改进和使用注意事项
机译:高速IGBT的特性改进和应用:引入IGBT本身的特点,并向逆变器安装装置中IGBT的基本应用电路的使用指向点
机译:具有非对称输出的IGBT转换器:加强绝缘的DC / DC转换器可延长IGBT电路的使用寿命
机译:一种提取IGBTS动态测试平台中杂散电感的新方法
机译:IGBT的有源栅极驱动电路。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:门电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究控制电路对IGBT晶体管动态参数的影响研究
机译:六自由度动态测试系统(sDTs)用户测试计划指南。