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中子数增殖实现低温可控核聚变的第二种方式与装置

摘要

中子数增殖实现低温可控核聚变的第二种方式与装置属核能源领域。用单能正离子束,如氘核或质子束,入射到靶物质中,就会发生聚变反应、释放出中子与带电粒子,如氚核、质子与氦核。这些中子在与其它靶核作用后,能够释放出更多的中子。由于靶物质周边中子反射层的作用,中子多次往返运动,与靶核聚变概率增大,引起更多的聚变反应,从而使得输出能量大于输入能量。也可以实现自循环聚变核反应,只要用正离子束或中子束完成点火,自循环聚变核反应就会发生,就有能量连续输出,直至靶物质减少到临界值以下,反应结束。这种核聚变无任何污染,在低温实现,容易控制、效率高、造价低,也能小型化。

著录项

  • 公开/公告号CN114023468A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陈素珍;

    申请/专利号CN202111096694.X

  • 申请日2021-09-14

  • 分类号G21B3/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 130021 吉林省长春市朝阳区长庆街委237组义和胡同22-4号

  • 入库时间 2023-06-19 14:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G21B 3/00 专利申请号:202111096694X 申请日:20210914

    实质审查的生效

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