水平反或型存储器串的三维阵列制程

摘要

在此所提供的一种高效率的水平反或(HNOR)阵列的制造方法中，HNOR阵列中存储晶体管的通道区域从沉积形成之后，直到形成局部字线前的随后沉积电荷捕捉材料的步骤前，均受到一保护层保护。通道区域的硅及保护材料均先以非晶型沉积，而后以一退火步骤进行结晶化。保护材料可以是硼化硅、碳化硅或锗化硅。保护材料可以在通道区域的结晶硅引起较大的晶粒边界，借以提供较大的电荷载子迁移率、较大的导电率及较大的电流密度。